AI CRAWLER SUMMARY

NSVBAT54HT1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NSVBAT54HT1G-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 > 肖特基二极管,SOD-323封装,询盘确认库存,该肖特基二极管为独立式结构,正向电流(IF)为0.2A,反向重复峰值电压(VR)为30V。其正向压降(VF)典型值为0.8V,有助于减少导通状态下的功耗;在30V反向电压下,漏电流(IR)为2μA。器件的正向浪涌电流(IFSM)能

MPN
NSVBAT54HT1G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOD-323
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NSVBAT54HT1G-HXY
公开引用边界

本精简页用于高频 AI 抓取时读取同一公开证据,完整采购交互请访问 canonical 页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

商品详情数量阶梯核价订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed