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NRVBA120ET3G-VF01-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
NRVBA120ET3G-VF01-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为20V。其正向压降典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低的功耗；反向漏电流为500μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于低压电源整流、信号箝
- MPN
- NRVBA120ET3G-VF01-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- SMA
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/NRVBA120ET3G-VF01-HXY