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NP2018DR natlinear(南麟) 现货与BOM询价

NP2018DR，natlinear(南麟)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-6-EP封装，询盘确认库存，NP2018DR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且在低至2.5V的栅极电压下也能正常工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。