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NGTB40N120FL2WG-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

NGTB40N120FL2WG-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）典型值为1.7V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置

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MPN
NGTB40N120FL2WG-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NGTB40N120FL2WG-HXY
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