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MSJW20N65A-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MSJW20N65A-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有25A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动条件