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MSJU11N65A-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MSJU11N65A-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。其栅源电压范围为-5V至+16

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MPN
MSJU11N65A-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/MSJU11N65A-HXY
公开内容边界

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