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MSJU07N65A-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MSJU07N65A-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于高电

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MPN: MSJU07N65A-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/MSJU07N65A-HXY

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