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MSJP20N65A-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MSJP20N65A-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），在导通状态下典型电阻为165mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-10V至+25V，支持