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MSJP14N65A-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
MSJP14N65A-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备快速开关特性与较低的导通损耗，在高频率
- MPN
- MSJP14N65A-BP-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-220C
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/MSJP14N65A-BP-HXY