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MMBT3906LP-7B DIODES(美台) 现货与清单询价
MMBT3906LP-7B，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > -40V。 高集电极电流：IC = -200mA。 功耗：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅，完全符合R
- MPN
- MMBT3906LP-7B
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/MMBT3906LP-7B