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MMBT3906LP-7 DIODES(美台) 现货与BOM询价

MMBT3906LP-7,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),DFN-3封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > -40V。 高集电极电流:IC = -200mA。 功耗:PD = 1000mW。 封装尺寸:0.60mm²,比SOT23小13倍。 封装高度:0.5mm,可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅,完全符合Ro

MPN
MMBT3906LP-7
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
DFN-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/MMBT3906LP-7
公开引用边界

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