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MMBT3904LP-7 DIODES(美台) 现货与BOM询价
MMBT3904LP-7，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 40V。 集电极电流高：IC = 200mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装占地面积：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。 互补PNP类型：MMBT3906L
- MPN
- MMBT3904LP-7
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/MMBT3904LP-7