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MMBT3904FZ-7B DIODES(美台) 现货与清单询价
MMBT3904FZ-7B，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 高集电极电流。 PD = 925mW 功率耗散。 0.36mm² 封装尺寸，比 DFN1006 小 40%。 0.4mm 低封装高度，减少板外轮廓。 互补 PNP 型 MMBT3
- MPN
- MMBT3904FZ-7B
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/MMBT3904FZ-7B