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MJD127T4G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MJD127T4G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管，TO-252-2L封装，询盘确认库存，此款达林顿管采用TO-252-2L封装，是一款高性能PNP型双极功率晶体管。拥有100V的集射极击穿电压（Vceo）及8A的最大集电极电流（Ic），额定功率耗散为1.5W。其具有超低饱和电压，在8A集电极电流和80mA

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MPN
MJD127T4G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/MJD127T4G-HXY
公开内容边界

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