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MIW40N65RA-BP-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MIW40N65RA-BP-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)与650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时兼顾导通压降控制。内部续流二极管