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MF30H100CTHE3_B/P-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MF30H100CTHE3_B/P-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 肖特基二极管,TO-220F封装,询盘确认库存,该肖特基二极管采用1对共阴极配置,额定正向电流IF为30A,最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.82V,在导通状态下具有较低的功耗;反向漏电流IR为100μA,表现出良好的阻断特性。器件可承受高达200

MPN
MF30H100CTHE3_B/P-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/MF30H100CTHE3_B%2FP-HXY
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