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MBT3904DW1T1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MBT3904DW1T1G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SOT-363封装，询盘确认库存，此款NPN+NPN双三极管（BJT）组件，专为高效能电路设计，具备集电极电流IC达0.2A，集电极-发射极电压VCEO高达40V，确保在多种环境下的稳定操作。其直流电流增益HFE范围在100至300之间，适

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MPN
MBT3904DW1T1G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-363
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/MBT3904DW1T1G-HXY
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