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MBRA120ET3G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MBRA120ET3G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为500μA。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、

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MPN
MBRA120ET3G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SMA
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/MBRA120ET3G-HXY
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