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MBR3090FCTE3/TU-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MBR3090FCTE3/TU-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220C封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用1对共阴极结构，具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。其正向压降典型值为0.8V，有助于降低导通功耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA。器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流（IFSM）

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MPN
MBR3090FCTE3/TU-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/MBR3090FCTE3%2FTU-HXY
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