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MBR20H100CTG-E3/45-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

MBR20H100CTG-E3/45-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220C封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）可达200A。其共阴极结构便