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LGE3M650170B LGE(鲁光) 现货与清单询价
LGE3M650170B，LGE(鲁光)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，商品目录 碳化硅MOS管 ；漏源电压（VDS）1700 V；漏极电流 （ID@25℃）7.0A；RDS(ON)650mΩ；耗散功率（PD）62W
- MPN
- LGE3M650170B
- 品牌/制造商
- LGE(鲁光)
- 封装
- TO-247-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/LGE3M650170B