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KNH2906C KIA 现货与BOM询价

KNH2906C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-3P封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=4.6mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-220封装。 RDS(ON)=4.7mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-3P封装。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100