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KIA28N50HH KIA 现货与清单询价
KIA28N50HH,KIA,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-3P封装,询盘确认库存,特性:RDS(ON) = 0.16Ω (typ.)@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 改善dv/dt能力。 符合RoHS标准。应用:LED电源。 手机充电器
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- KIA28N50HH
- 品牌/制造商
- KIA
- 封装
- TO-3P
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/KIA28N50HH
