PUBLIC PAGE SUMMARY

IXYX120N120C3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXYX120N120C3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247P封装，询盘确认库存，该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V，有助于降低导通损耗。内部续流二极管支持

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
IXYX120N120C3-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247P
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXYX120N120C3-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed