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IXYH50N65C3H1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXYH50N65C3H1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，可支持较高功率应用场景。集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为4

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MPN
IXYH50N65C3H1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXYH50N65C3H1-HXY
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