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IXXH60N65C4-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXXH60N65C4-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块具有60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，能够在导通状态下保持较低的功耗。模块内置二极管，可承受

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IXXH60N65C4-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXXH60N65C4-HXY
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