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IXTY8N65X2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

IXTY8N65X2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为460mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18

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IXTY8N65X2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTY8N65X2-HXY
公开引用边界

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