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IXTP34N65X2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

IXTP34N65X2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压与大电流

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IXTP34N65X2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTP34N65X2-HXY
公开引用边界

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