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IXTP20N65XM-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

IXTP20N65XM-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围为-

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MPN
IXTP20N65XM-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTP20N65XM-HXY
公开引用边界

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