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IXTP20N65X2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价
IXTP20N65X2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，确保器件在宽电压条件下稳
- MPN
- IXTP20N65X2-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-220C
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/IXTP20N65X2-HXY