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IXTP12N65X2M-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXTP12N65X2M-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃环境下可承载9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20