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IXTH80N65X2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXTH80N65X2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-10V至+25V。其采用碳化硅材料，具有优异的高频开关性能和热稳定性，在高效率电源系统、可

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MPN
IXTH80N65X2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTH80N65X2-HXY
公开内容边界

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