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IXTH34N65X2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXTH34N65X2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适用于

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MPN
IXTH34N65X2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTH34N65X2-HXY
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