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IXTH32N65X-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXTH32N65X-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为32A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，

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MPN
IXTH32N65X-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTH32N65X-HXY
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