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IXTH20N65X2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXTH20N65X2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与

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MPN
IXTH20N65X2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTH20N65X2-HXY
公开内容边界

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