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IXFP26N65X2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXFP26N65X2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，最大漏源电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下具有较低的开关与导通损耗，同时

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MPN
IXFP26N65X2-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXFP26N65X2-HXY
公开内容边界

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