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IXFP18N65X2M-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IXFP18N65X2M-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压（VGS）支持

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MPN: IXFP18N65X2M-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IXFP18N65X2M-HXY

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