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IS66WVC4M16ECLL-7010BLI ISSI(美国芯成) 现货与清单询价
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / PSRAM(伪静态),VFBGA-54封装,询盘确认库存,CellularRAM产品是为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心设备组织为4兆x 16位。该设备是行业标准闪存控制接口的一种变体,与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品相比,显
- MPN
- IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
- 品牌/制造商
- ISSI(美国芯成)
- 封装
- VFBGA-54
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
