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IRGP4063DPBF-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IRGP4063DPBF-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT管/模块具备集电极电流（Ic）50A与集射极击穿电压（Vces）650V的电气特性，适用于中高功率的电子系统设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置

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MPN
IRGP4063DPBF-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IRGP4063DPBF-HXY
公开内容边界

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