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IRG8P60N120KD-EPBF-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
IRG8P60N120KD-EPBF-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支
- MPN
- IRG8P60N120KD-EPBF-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-247
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/IRG8P60N120KD-EPBF-HXY