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IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID可达99A，最大漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材
- MPN
- IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-247H-4L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY