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IPZ60R037P7XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPZ60R037P7XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247H-4L封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达99A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件具备高耐压与低导通

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MPN
IPZ60R037P7XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247H-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPZ60R037P7XKSA1-HXY
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