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IPW65R095C7XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPW65R095C7XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达36A，导通电阻（RDS(on)）为75mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工

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MPN: IPW65R095C7XKSA1-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IPW65R095C7XKSA1-HXY

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