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IPW65R080CFDFKSA2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPW65R080CFDFKSA2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）以及75mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅极驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的