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IPP65R225C7XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPP65R225C7XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，本N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源电压（VDSS）与20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+2

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MPN: IPP65R225C7XKSA1-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/IPP65R225C7XKSA1-HXY

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