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IPP65R190C6XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPP65R190C6XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至+16V，