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IPL65R190E6AUMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPL65R190E6AUMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，DFN-5B封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适

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MPN
IPL65R190E6AUMA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-5B
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPL65R190E6AUMA1-HXY
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