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IPL65R115CFD7AUMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPL65R115CFD7AUMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，DFN-5B封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压、高频率工作条件下仍

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MPN
IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-5B
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPL65R115CFD7AUMA1-HXY
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