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IPD65R600E6BTMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
IPD65R600E6BTMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，支
- MPN
- IPD65R600E6BTMA1-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-252-2L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/IPD65R600E6BTMA1-HXY