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IPD65R600C6BTMA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IPD65R600C6BTMA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，支持-4V至+18V的栅源电压范围（VGS

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MPN
IPD65R600C6BTMA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IPD65R600C6BTMA1-HXY
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